• 集成下管 MOSFET（LS-FET）的 100W 升降压变换器
• 用于上管功率 MOSFET（HS-FET）的集成栅极驱动
• 启动输入电压(VIN) 范围：3.6V 至 36V
• 1V 至 36V 输出电压(VOUT)范围
• 当 VOUT > 3.5V 时，支持 2.8V 下降VIN
• 高达 5A 的输出电流（IOUT）
• 峰值效率高达 98%
• 可通过IOUT配置：
• 0.1V 至 2.147V 参考电压（VREF）范围，分辨率为 1mV
• 精确的输出恒定电流（CC）限值：±5%
• 符合 USB-PD 3.0 和 PPS 规范
• 280kHz、420kHz 或 580kHz 可选开关频率（fSW）
• 可选强制脉宽调制（PWM）模式或自动 PWM/跳频（PFM）模式
• 输出偏置 VCC LDO 以实现高效率
• 接地电池短路保护
• 通过 RSENSE 实现线路压降补偿
• I2C接口、警报和一次性可编程的（OTP）存储器
• 使能（EN）关闭被动放电
• 输出过流保护（OCP）
• 过压保护（OVP）
• 过温关断保护
• 采用 QFN-20（3mmx5mm）封装
• 采用侧面镀锡封装

• 符合 AEC-Q100 等级 1 认证